反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):42mΩ@4.5V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):39W,输入电容(Ciss):804pF,输出电容(Coss):123pF,连续漏极电流(Id):27.6A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 40pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V,10A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 39W | |
输入电容(Ciss) | 804pF | |
输出电容(Coss) | 123pF | |
连续漏极电流(Id) | 27.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.251/个 |
50+ | ¥0.989/个 |
150+ | ¥0.877/个 |
500+ | ¥0.736/个 |
2500+ | ¥0.674/个 |
5000+ | ¥0.637/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.62008
2500 PCS/盘
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