反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):39.1W,输入电容(Ciss):958pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):17.7A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 39.1W | |
输入电容(Ciss) | 958pF | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 17.7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.166/个 |
50+ | ¥0.904/个 |
150+ | ¥0.791/个 |
500+ | ¥0.651/个 |
2500+ | ¥0.589/个 |
5000+ | ¥0.551/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.551
2500 PCS/盘
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