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STD35P6LLF6
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STD35P6LLF6
- 商品编号
- C165929
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000475千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):170pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):70W,输入电容(Ciss):3780pF,输出电容(Coss):262pF,连续漏极电流(Id):35A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 输入电容(Ciss) | 3780pF | |
| 输出电容(Coss) | 262pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.59/个 |
| 10+ | ¥4.46/个 |
| 30+ | ¥3.9/个 |
| 100+ | ¥3.34/个 |
| 500+ | ¥3.01/个 |
| 1000+ | ¥2.83/个 |
| 2500+ | ¥2.8/个 |
| 5000+ | ¥2.77/个 |
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