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STW70N60DM2
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STW70N60DM2
- 商品编号
- C165943
- 商品封装
- TO-247
- 商品毛重
- 0.006985千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):2.8pF,导通电阻(RDS(on)):0.042Ω@10V,33A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):121nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):446W,输入电容(Ciss):5508pF,输出电容(Coss):241pF,连续漏极电流(Id):66A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.042Ω@10V,33A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 446W | |
| 输入电容(Ciss) | 5508pF | |
| 输出电容(Coss) | 241pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥25.96/个 |
| 10+ | ¥22.47/个 |
| 30+ | ¥20.4/个 |
| 100+ | ¥18.31/个 |
| 500+ | ¥17.34/个 |
| 1000+ | ¥16.91/个 |
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