反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):0.086Ω@1.8V,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.9W,输入电容(Ciss):1130pF,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):3.2A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.086Ω@1.8V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.9W | |
| 输入电容(Ciss) | 1130pF | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.667/个 |
| 100+ | ¥0.539/个 |
| 300+ | ¥0.446/个 |
| 1000+ | ¥0.37/个 |
| 5000+ | ¥0.357/个 |
| 10000+ | ¥0.35/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.3404
3000 PCS/盘
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