反向传输电容(Crss):268pF,导通电阻(RDS(on)):14mΩ@4.5V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):65nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3.5W,输入电容(Ciss):3960pF,输出电容(Coss):486pF,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 268pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,10A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 3.5W | |
输入电容(Ciss) | 3960pF | |
输出电容(Coss) | 486pF | |
连续漏极电流(Id) | 25A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.16/个 |
10+ | ¥2.43/个 |
30+ | ¥2.12/个 |
100+ | ¥1.73/个 |
500+ | ¥1.56/个 |
1000+ | ¥1.45/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.334
4000 PCS/盘
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