反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):9Ω@2.5V,10mA,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):40pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):0.1A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@2.5V,10mA | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 40pF | |
输出电容(Coss) | 10pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.196/个 |
200+ | ¥0.152/个 |
600+ | ¥0.128/个 |
2000+ | ¥0.114/个 |
10000+ | ¥0.101/个 |
20000+ | ¥0.0947/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09292
10000 PCS/盘
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