反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.1Ω@10V,10A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):35nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):68W,耗散功率(Pd):68W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):19A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.1Ω@10V,10A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 68W | |
耗散功率(Pd) | 68W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 19A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥7/个 |
10+ | ¥5.87/个 |
30+ | ¥5.25/个 |
100+ | ¥4.54/个 |
500+ | ¥3.65/个 |
800+ | ¥3.51/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.339
800 PCS/盘
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