反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):27mΩ@2.5V,5.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):220pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@2.5V,5.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | 220pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.263/个 |
| 10+ | ¥0.205/个 |
| 30+ | ¥0.176/个 |
| 100+ | ¥0.154/个 |
| 500+ | ¥0.137/个 |
| 1000+ | ¥0.128/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.128
3000 PCS/盘