反向传输电容(Crss):90pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,15A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):6W,输入电容(Ciss):700pF,输出电容(Coss):275pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):2V@25uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 90pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,15A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 6W | |
输入电容(Ciss) | 700pF | |
输出电容(Coss) | 275pF | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@25uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.0825/个 |
50+ | ¥0.856/个 |
150+ | ¥0.759/个 |
500+ | ¥0.637/个 |
2500+ | ¥0.583/个 |
5000+ | ¥0.551/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.53636
2500 PCS/盘
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