反向传输电容(Crss):26pF,导通电阻(RDS(on)):0.9Ω@10V,3.5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):375pF,输出电容(Coss):238pF,连续漏极电流(Id):7A,配置:半桥,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 26pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.9Ω@10V,3.5A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 60W | |
输入电容(Ciss) | 375pF | |
输出电容(Coss) | 238pF | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
配置 | 半桥 | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.8/个 |
10+ | ¥2.2/个 |
30+ | ¥1.94/个 |
100+ | ¥1.62/个 |
500+ | ¥1.47/个 |
1000+ | ¥1.39/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.2788
2500 PCS/盘
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