反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):11.5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):28W,输入电容(Ciss):150pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):1.2A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 11.5Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 28W | |
输入电容(Ciss) | 150pF | |
输出电容(Coss) | 25pF | |
连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.703/个 |
50+ | ¥0.545/个 |
150+ | ¥0.477/个 |
500+ | ¥0.393/个 |
2500+ | ¥0.355/个 |
5000+ | ¥0.332/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.355
2500 PCS/盘