反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):4.2Ω@10V,1.0A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.24nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):23W,输入电容(Ciss):303pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@10V,1.0A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8.24nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 23W | |
输入电容(Ciss) | 303pF | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.357/个 |
50+ | ¥1.0549/个 |
150+ | ¥0.925/个 |
500+ | ¥0.764/个 |
2000+ | ¥0.692/个 |
5000+ | ¥0.649/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.97051
50 PCS/盘
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