写周期时间(Tw):35ns,块擦除时间(tBE):2ms,存储容量:8Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:1.7V~1.95V,待机电流:20uA,接口类型:Parallel,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):40MHz,页写入时间(Tpp):35ns
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | 35ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | 40MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | 35ns |