反向传输电容(Crss):6pF,导通电阻(RDS(on)):2.2Ω@1.5V,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):2.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):152pF,输出电容(Coss):18.5pF,连续漏极电流(Id):1.4A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@1.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 152pF | |
| 输出电容(Coss) | 18.5pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.167/个 |
| 200+ | ¥0.136/个 |
| 600+ | ¥0.118/个 |
| 2000+ | ¥0.108/个 |
| 10000+ | ¥0.0946/个 |
| 20000+ | ¥0.0897/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.08703
10000 PCS/盘
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