导通电阻(RDS(on)):68mΩ@4.5V,3.5A,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):1.1W,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):0.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@4.5V,3.5A | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 12V | |
耗散功率(Pd) | 1.1W | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.226/个 |
200+ | ¥0.176/个 |
600+ | ¥0.147/个 |
3000+ | ¥0.13/个 |
9000+ | ¥0.116/个 |
21000+ | ¥0.108/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1196
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