写周期时间(Tw):600us,块擦除时间(tBE):1ms,存储容量:4Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:1.7V~1.95V,待机电流:50uA,接口类型:Parallel,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):-,页写入时间(Tpp):320us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | 600us | |
| 块擦除时间(tBE) | 1ms | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 320us |