FET类型:P沟道,反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅源击穿电压(Vgss):40V,栅源截止电压(VGS(off)):750mV,漏源电流(Idss):1mA,耗散功率(Pd):310mW,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | P沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 750mV | |
| 漏源电流(Idss) | 1mA | |
| 耗散功率(Pd) | 310mW | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |