工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):40V,栅源截止电压(VGS(off)):300mV@100nA,漏源电流(Idss):2.6mA@10V,耗散功率(Pd):400mW,输入电容(Ciss):25pF@10V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 300mV@100nA | |
| 漏源电流(Idss) | 2.6mA@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF@10V |