1G位1.8V NAND闪存存储器实物图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

1G位1.8V NAND闪存存储器

扩展库
品牌名称
Winbond(华邦)
厂家型号
W29N01HZBINF TR
商品编号
C17460090
商品封装
VFBGA-63(9x11)
商品毛重
0.000382千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
3A991B1A

商品参数

写周期时间(Tw):25ns,块擦除时间(tBE):2ms,存储容量:1Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:1.7V~1.95V,待机电流:10uA,接口类型:-,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):-,时钟频率(fc):-,页写入时间(Tpp):25ns

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录NAND FLASH
写周期时间(Tw)25ns
块擦除时间(tBE)2ms
存储容量1Gbit
工作温度-40℃~+85℃
工作电压1.7V~1.95V
待机电流10uA
接口类型-
擦写寿命100000次
数据保留 - TDR(年)-
时钟频率(fc)-
页写入时间(Tpp)25ns

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

预订参考价

18.41 / PCS

库存总量

0 PCS
电话
顶部
元器件购物车