导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):40V,栅源截止电压(VGS(off)):500mV,漏源电流(Idss):5mA,耗散功率(Pd):625mW,输入电容(Ciss):14pF
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 500mV | |
| 漏源电流(Idss) | 5mA | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 输入电容(Ciss) | 14pF |