FET类型:N沟道,反向传输电容(Crss):2.6pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):50V,栅源截止电压(VGS(off)):0.4V,漏源电流(Idss):6.5mA,耗散功率(Pd):100mW,输入电容(Ciss):8.2pF,输出电容(Coss):-,配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | N沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 50V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 0.4V | |
| 漏源电流(Idss) | 6.5mA | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.751/个 |
| 50+ | ¥1.387/个 |
| 150+ | ¥1.231/个 |
| 500+ | ¥1.0357/个 |
| 3000+ | ¥0.949/个 |
| 6000+ | ¥0.897/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.87308
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉227.76元