导通电阻(RDS(on)):30Ω,工作温度:-55℃~+125℃,数量:-,栅源击穿电压(Vgss):40V,栅源截止电压(VGS(off)):4V,漏源电流(Idss):50mA,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):14pF
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 4V | |
| 漏源电流(Idss) | 50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 14pF |