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NTE489
扩展库- 品牌名称
- NTE Electronics
- 厂家型号
- NTE489
- 商品编号
- C17650745
- 商品封装
- TO-92
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
FET类型:P沟道,反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+135℃,数量:1个P沟道,栅源击穿电压(Vgss):30V,栅源截止电压(VGS(off)):500mV,漏源电流(Idss):2mA,耗散功率(Pd):360mW,输入电容(Ciss):32pF,输出电容(Coss):-,配置:-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | P沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+135℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 500mV | |
| 漏源电流(Idss) | 2mA | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 输入电容(Ciss) | 32pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
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