反向传输电容(Crss):5.55pF,导通电阻(RDS(on)):2.3Ω@10V,2.0A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15.3nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):100W,输入电容(Ciss):511pF,输出电容(Coss):56.6pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5.55pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V,2.0A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 100W | |
输入电容(Ciss) | 511pF | |
输出电容(Coss) | 56.6pF | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.973/个 |
10+ | ¥0.953/个 |
30+ | ¥0.94/个 |
100+ | ¥0.927/个 |
102+ | ¥0.927/个 |
104+ | ¥0.927/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.85284
1000 PCS/盘
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