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IS34MW02G084-BLI
扩展库- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 厂家型号
- IS34MW02G084-BLI
- 商品编号
- C17684465
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- 3A991B1A
商品参数
写周期时间(Tw):45ns,块擦除时间(tBE):3ms,存储容量:2Gbit,工作温度:-,工作电压:1.7V~1.95V,待机电流:10uA,接口类型:-,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):-,页写入时间(Tpp):300us
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | 45ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 3ms | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作温度 | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 接口类型 | - | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |
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