FET类型:N沟道,反向传输电容(Crss):3.5pF,导通电阻(RDS(on)):100Ω,工作温度:-55℃~+125℃,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):40V,栅源截止电压(VGS(off)):500mV,漏源电流(Idss):30mA,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):14pF,输出电容(Coss):-,配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | N沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 500mV | |
| 漏源电流(Idss) | 30mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 14pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥249.87/个 |
| 3+ | ¥249.87/个 |
| 5+ | ¥249.87/个 |
| 30+ | ¥239.37/个 |
| 32+ | ¥239.37/个 |
| 34+ | ¥239.37/个 |
整盘
单价
整盘单价¥220.2204
1000 PCS/盘
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