反向传输电容(Crss):28pF,导通电阻(RDS(on)):300mΩ@4.5V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):8.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):100V,类型:-,耗散功率(Pd):42W,输入电容(Ciss):1239pF,输出电容(Coss):42pF,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):3.24V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 28pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V,8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 42W | |
输入电容(Ciss) | 1239pF | |
输出电容(Coss) | 42pF | |
连续漏极电流(Id) | 9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.24V@250uA |