反向传输电容(Crss):59pF,导通电阻(RDS(on)):0.045Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):24.2nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2.1W,输入电容(Ciss):1407pF@40V,连续漏极电流(Id):5.1A,连续漏极电流(Id):3.7A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.045Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 1407pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.871/个 |
| 10+ | ¥4.469/个 |
| 30+ | ¥4.248/个 |
| 100+ | ¥4/个 |
| 500+ | ¥3.893/个 |
| 1000+ | ¥3.839/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.893
500 PCS/盘