反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):1.4Ω@4.5V,350mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.68nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):420mW,耗散功率(Pd):1.14W,输入电容(Ciss):50pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):400mA,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@4.5V,350mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.68nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 420mW | |
| 耗散功率(Pd) | 1.14W | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.754/个 |
| 50+ | ¥1.386/个 |
| 150+ | ¥1.228/个 |
| 500+ | ¥1.0107/个 |
| 3000+ | ¥0.925/个 |
| 6000+ | ¥0.873/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.851
3000 PCS/盘
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