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NTD20P06LT4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTD20P06LT4G
- 商品编号
- C179611
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000457千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):0.15Ω@5V,7.5A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):26nC@5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):65W,输入电容(Ciss):1190pF,输出电容(Coss):300pF,连续漏极电流(Id):15.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.15Ω@5V,7.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 输入电容(Ciss) | 1190pF | |
| 输出电容(Coss) | 300pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.03/个 |
| 10+ | ¥3.21/个 |
| 30+ | ¥2.8/个 |
| 100+ | ¥2.271/个 |
| 500+ | ¥2.0425/个 |
| 1000+ | ¥1.919/个 |
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整盘单价¥1.919
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