反向传输电容(Crss):556pF,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@4.5V,30A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):73nC@11.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):107W,耗散功率(Pd):107W,输入电容(Ciss):4490pF,输出电容(Coss):952pF,连续漏极电流(Id):19.6A,连续漏极电流(Id):124A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 556pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V,30A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 73nC@11.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 107W | |
耗散功率(Pd) | 107W | |
输入电容(Ciss) | 4490pF | |
输出电容(Coss) | 952pF | |
连续漏极电流(Id) | 19.6A | |
连续漏极电流(Id) | 124A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥5.496/个 |
10+ | ¥4.77/个 |
30+ | ¥4.312/个 |
100+ | ¥3.846/个 |
500+ | ¥3.634/个 |
1000+ | ¥3.542/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.542
2500 PCS/盘