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NTMD3P03R2G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTMD3P03R2G
- 商品编号
- C179620
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000126千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):135pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):750pF,输出电容(Coss):325pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 输出电容(Coss) | 325pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.92/个 |
| 10+ | ¥5.117/个 |
| 30+ | ¥4.618/个 |
| 100+ | ¥4.103/个 |
| 500+ | ¥3.869/个 |
| 1000+ | ¥3.767/个 |
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