导通电阻(RDS(on)):7.5Ω@10V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.225W,连续漏极电流(Id):0.2A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.225W | |
连续漏极电流(Id) | 0.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.163/个 |
200+ | ¥0.128/个 |
600+ | ¥0.108/个 |
3000+ | ¥0.0964/个 |
9000+ | ¥0.0863/个 |
21000+ | ¥0.0808/个 |
39000+ | ¥0.0799/个 |
81000+ | ¥0.0792/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.08869
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉23.13元