反向传输电容(Crss):110pF,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,数量:-,栅极电荷量(Qg):75nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:-,耗散功率(Pd):62.5W,输入电容(Ciss):3450pF,输出电容(Coss):310pF,连续漏极电流(Id):62A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 110pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 62.5W | |
输入电容(Ciss) | 3450pF | |
输出电容(Coss) | 310pF | |
连续漏极电流(Id) | 62A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |