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STD3N80K5
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STD3N80K5
- 商品编号
- C181036
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000476千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):0.6pF,导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.5nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):130pF,输出电容(Coss):14pF,连续漏极电流(Id):2.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF | |
| 输出电容(Coss) | 14pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.78/个 |
| 10+ | ¥4.75/个 |
| 30+ | ¥4.23/个 |
| 100+ | ¥3.72/个 |
| 500+ | ¥3.41/个 |
| 1000+ | ¥3.25/个 |
| 2500+ | ¥3.22/个 |
| 5000+ | ¥3.19/个 |
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