反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@4.5V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.169/个 |
200+ | ¥0.128/个 |
600+ | ¥0.11/个 |
3000+ | ¥0.102/个 |
9000+ | ¥0.0961/个 |
21000+ | ¥0.0925/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09384
3000 PCS/盘
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