反向传输电容(Crss):150pF,导通电阻(RDS(on)):105mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):1040pF,输出电容(Coss):420pF,连续漏极电流(Id):5.1A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 150pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 1040pF | |
输出电容(Coss) | 420pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.362/个 |
100+ | ¥0.291/个 |
300+ | ¥0.255/个 |
2500+ | ¥0.224/个 |
5000+ | ¥0.203/个 |
10000+ | ¥0.192/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.20608
2500 PCS/盘
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