反向传输电容(Crss):129pF,导通电阻(RDS(on)):42mΩ@1.8V,4A,工作温度:-,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):15.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):1050pF,输出电容(Coss):163pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):0.8V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 129pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@1.8V,4A | |
工作温度 | - | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15.2nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 1050pF | |
输出电容(Coss) | 163pF | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.36/个 |
100+ | ¥0.292/个 |
300+ | ¥0.258/个 |
3000+ | ¥0.209/个 |
6000+ | ¥0.188/个 |
9000+ | ¥0.178/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.19228
3000 PCS/盘
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