射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):200MHz,直流电流增益(hFE):100@150mA,10V,耗散功率(Pd):250mW,集射极击穿电压(Vceo):60V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.67V@500mA,50mA,集电极截止电流(Icbo):20nA,集电极电流(Ic):600mA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 200MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@150mA,10V | |
耗散功率(Pd) | 250mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.67V@500mA,50mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
集电极电流(Ic) | 600mA |