射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):100MHz,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):25V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V@800mA,80mA,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):1500mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.5V@800mA,80mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
集电极电流(Ic) | 1500mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.0685/个 |
500+ | ¥0.0523/个 |
3000+ | ¥0.0483/个 |
6000+ | ¥0.0429/个 |
24000+ | ¥0.0382/个 |
51000+ | ¥0.0357/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.04444
3000 PCS/盘
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