反向传输电容(Crss):95pF,导通电阻(RDS(on)):25mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,6A,工作温度:-,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):780pF,输出电容(Coss):155pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,6A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 输出电容(Coss) | 155pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.834/个 |
| 10+ | ¥0.815/个 |
| 30+ | ¥0.803/个 |
| 100+ | ¥0.79/个 |
| 102+ | ¥0.79/个 |
| 104+ | ¥0.79/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.7268
2500 PCS/盘
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