反向传输电容(Crss):590pF,导通电阻(RDS(on)):17mΩ@4.5V,7.0A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):42nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):2730pF,输出电容(Coss):710pF,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V,7.0A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 2730pF | |
| 输出电容(Coss) | 710pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.177/个 |
| 200+ | ¥0.138/个 |
| 600+ | ¥0.119/个 |
| 3000+ | ¥0.107/个 |
| 9000+ | ¥0.0954/个 |
| 21000+ | ¥0.0896/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.106
3000 PCS/盘
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