反向传输电容(Crss):0.9pF@50V,导通电阻(RDS(on)):460mΩ@10V,4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):14.6nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):31.6W,输入电容(Ciss):590pF@50V,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 0.9pF@50V | |
导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ@10V,4A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 14.6nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 31.6W | |
输入电容(Ciss) | 590pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.04/个 |
10+ | ¥3.3/个 |
50+ | ¥2.94/个 |
100+ | ¥2.57/个 |
500+ | ¥2.36/个 |
1000+ | ¥2.24/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.7048
50 PCS/盘
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