反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):38mΩ@2.5V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):640pF,输出电容(Coss):135pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 输出电容(Coss) | 135pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.442/个 |
| 30+ | ¥0.356/个 |
| 90+ | ¥0.312/个 |
| 900+ | ¥0.245/个 |
| 1800+ | ¥0.219/个 |
| 2700+ | ¥0.206/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.192
3000 PCS/盘
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