反向传输电容(Crss):50pF,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@4.5V,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):550pF,输出电容(Coss):95pF,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.234/个 |
| 100+ | ¥0.19/个 |
| 300+ | ¥0.167/个 |
| 3000+ | ¥0.119/个 |
| 6000+ | ¥0.105/个 |
| 9000+ | ¥0.0988/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.119
3000 PCS/盘