反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@4.5V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):3450pF,输出电容(Coss):310pF,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 115pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 50W | |
输入电容(Ciss) | 3450pF | |
输出电容(Coss) | 310pF | |
连续漏极电流(Id) | 80A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.409/个 |
10+ | ¥1.925/个 |
30+ | ¥1.718/个 |
100+ | ¥1.459/个 |
500+ | ¥1.188/个 |
1000+ | ¥1.118/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.02856
4000 PCS/盘
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