导通电阻(RDS(on)):65mΩ@4.5V,数量:-,栅极电荷量(Qg):55nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):1340pF,输出电容(Coss):285pF,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 50W | |
输入电容(Ciss) | 1340pF | |
输出电容(Coss) | 285pF | |
连续漏极电流(Id) | 25A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.712/个 |
10+ | ¥1.356/个 |
30+ | ¥1.204/个 |
100+ | ¥1.0134/个 |
500+ | ¥0.929/个 |
1000+ | ¥0.878/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.80776
2500 PCS/盘
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