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1个N沟道耐压:40V 电流:180A

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品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
厂家型号: CSD18502KCS-VB
商品编号: C18212515
商品封装: TO-220AB
商品毛重: 0.003835千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):450pF,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@4.5V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):120nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):312W,输入电容(Ciss):9000pF,输出电容(Coss):650pF,连续漏极电流(Id):180A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	450pF
导通电阻(RDS(on))	15mΩ@4.5V,20A
工作温度	-55℃~+150℃
数量	1个N沟道
栅极电荷量(Qg)	120nC@10V
漏源电压(Vdss)	40V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	312W
输入电容(Ciss)	9000pF
输出电容(Coss)	650pF
连续漏极电流(Id)	180A
配置	-
阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

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