反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):6Ω@4.5V,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):0.74nC,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.3W,输入电容(Ciss):31.6pF,连续漏极电流(Id):0.19A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.74nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 31.6pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.19A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.111/个 |
| 500+ | ¥0.088/个 |
| 3000+ | ¥0.0686/个 |
| 6000+ | ¥0.0609/个 |
| 24000+ | ¥0.0542/个 |
| 51000+ | ¥0.0506/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06311
3000 PCS/盘
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